전자기사 필기 기출문제복원 (2020-06-06)

전자기사
(2020-06-06 기출문제)

목록

1과목: 전기자기학

1. 자기유도계수 L의 계산 방법이 아닌 것은? (단, N:권수, ø: 자속(Wb), I:전류(A), A:벡터 퍼텐셜(Wb/m), i:전류밀도(A/m2), B:자속밀도(Wb/m2), H:자계의 세기(AT/m)이다.)

(정답률: 36%)
  • ""은 자기유도계수 L의 계산 방법이 아닙니다. 이유는 ""는 자기유도계수 L와 관련이 없는 전자기학적 상수인 전기유전율 ε0을 나타내기 때문입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

2. 20℃에서 저항의 온도계수가 0.002인 니크롬선의 저항이 100Ω이다. 온도가 60℃로 상승하면 저항은 몇 Ω이 되겠는가?

  1. 108
  2. 112
  3. 115
  4. 120
(정답률: 40%)
  • 니크롬선의 저항은 온도에 따라 변화하며, 이 변화율을 나타내는 것이 온도계수이다. 문제에서는 온도계수가 0.002로 주어졌다.

    먼저, 20℃에서의 저항이 100Ω이므로, 이를 이용하여 20℃에서의 저항과 60℃에서의 저항 사이의 변화량을 구할 수 있다.

    ΔR = R × α × ΔT

    여기서, ΔR은 저항의 변화량, R은 초기 저항값, α는 온도계수, ΔT는 온도 변화량을 나타낸다.

    따라서, 20℃에서 60℃로 상승하는 경우의 저항 변화량은 다음과 같다.

    ΔR = 100 × 0.002 × (60 - 20) = 8Ω

    즉, 60℃에서의 저항은 초기 저항값인 100Ω에 변화량인 8Ω을 더한 값인 108Ω이 된다. 따라서 정답은 "108"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

3. 면적이 S(m2)이고 극간의 거리가 d(m)인 평행판 콘덴서에 비유전율이 εr인 유전체를 채울 때 정전용량(F)은? (단, ε0)은 진공의 유전율이다.)

(정답률: 54%)
  • 평행판 콘덴서의 정전용량은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    C = εA/d

    여기서 A는 평행판 콘덴서의 면적이고, d는 극간의 거리이다. ε는 비유전율이고, ε0은 진공의 유전율이다.

    따라서, 유전체를 채울 경우 비유전율이 εr이므로 정전용량은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    C' = εrε0A/d

    이때, C'는 유전체를 채운 평행판 콘덴서의 정전용량이다.

    따라서, 보기에서 정답인 ""은 유전체를 채운 평행판 콘덴서의 정전용량을 나타내는 공식이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

4. 유전율이 ε1, ε2(F/m)인 유전체 경계면에 단위 면적당 작용하는 힘의 크기는 몇 N/m2인가? (단, 전계가 경계면에 수직인 경우이며, 두 유전체에서의 전속밀도는 D1=D2=D(C/m2)이다.)

(정답률: 52%)
  • 단위 면적당 작용하는 전기장은 E=D/ε 이므로, 두 유전체에서의 전기장은 모두 E=D/ε1=D/ε2이다. 경계면에서의 전기장은 두 전기장의 평균값인 (D/ε1+D/ε2)/2이다. 따라서 경계면에서의 단위 면적당 작용하는 힘은 F=ε(E1-E2)이므로,

    F=ε(D/ε1-D/ε2)=(D/ε1)(ε1-ε2)

    =(C/m2)/(F/m)(ε1-ε2)=(C2/N·m2)/(F/m)(ε1-ε2)=C2/N(ε1-ε2)

    따라서 단위 면적당 작용하는 힘의 크기는 C2/N(ε1-ε2)이다.

    보기에서 정답이 "" 인 이유는, 단위 면적당 작용하는 힘의 단위가 N/m2이 아니라 N이기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

5. 그림과 같이 내부 도체구 A에 +Q(C), 외부 도체구 B에 -Q(C)를 부여한 동심 도체구 사이의 정전용량 C(F)는?

(정답률: 53%)
  • 내부 도체구 A와 외부 도체구 B 사이에는 전하가 분포되어 있으므로 전기장이 존재한다. 이 때, 도체구 사이의 전기장은 도체구 A와 B의 전하에 의해 결정되며, 도체구 사이의 전기장이 일정하다면 정전용량은 전하량에 비례한다. 따라서, 내부 도체구 A와 외부 도체구 B 사이의 전기장을 구하고, 전하량의 비례상수를 구하여 정전용량을 계산할 수 있다.

    내부 도체구 A와 외부 도체구 B 사이의 전기장은 도체구 A와 B의 전하에 의해 결정된다. 도체구 A와 B 사이의 거리는 일정하므로, 도체구 A와 B의 전하량에 비례하여 전기장이 결정된다. 따라서, 내부 도체구 A와 외부 도체구 B 사이의 전기장은 다음과 같다.

    E = k(Q_A - Q_B) / r^2

    여기서, k는 쿨롱 상수이고, Q_A와 Q_B는 각각 내부 도체구 A와 외부 도체구 B의 전하량이며, r은 도체구 A와 B 사이의 거리이다.

    내부 도체구 A와 외부 도체구 B 사이의 전기장이 일정하다면, 정전용량은 다음과 같이 구할 수 있다.

    C = Q / V

    여기서, Q는 내부 도체구 A와 외부 도체구 B 사이의 전하량이며, V는 내부 도체구 A와 외부 도체구 B 사이의 전기장이다.

    따라서, 내부 도체구 A와 외부 도체구 B 사이의 정전용량은 다음과 같다.

    C = Q / V = Q / (k(Q_A - Q_B) / r^2)

    = r^2Q / k(Q_A - Q_B)

    = r^2C_A / (C_A - C_B)

    여기서, C_A와 C_B는 각각 내부 도체구 A와 외부 도체구 B의 정전용량이다.

    따라서, 정답은 ""이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

6. 반지름 r(m)인 무한장 원통형 도체에 전류가 균일하게 흐를 때 도체 내부에서 자계의 세기(AT/m)는?

  1. 원통 중심축으로부터 거리에 비례한다.
  2. 원통 중심축으로부터 거리에 반비례한다.
  3. 원통 중심축으로부터 거리의 제곱에 비례한다.
  4. 원통 중심축으로부터 거리의 제곱에 반비례한다.
(정답률: 21%)
  • 정답은 "원통 중심축으로부터 거리에 비례한다."이다.

    전류가 흐르는 도체 내부에서 자계의 세기는 바로 비례 상수 μ0와 전류의 세기 I, 그리고 도체 내부에서의 거리 r에 의해 결정된다. 즉, 자계의 세기 H는 다음과 같이 표현된다.

    H = I * μ0 / (2πr)

    여기서 2πr은 도체 내부에서의 전류가 흐르는 원통의 둘레이다. 따라서 도체 내부에서의 거리 r이 증가하면 자계의 세기 H는 감소하게 된다. 이는 거리와 자계의 세기가 반비례하는 것이 아니라, 거리와 자계의 세기가 비례하는 것을 의미한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

7. 자기 인턱턴스와 상호 인턱던스와의 관계에서 결합계수 k의 범위는?

  1. 0≤k≤1/2
  2. 0≤k≤1
  3. 1≤k≤2
  4. 01k≤10
(정답률: 60%)
  • 결합계수 k는 자기 인덕턴스와 상호 인덕턴스의 비율을 나타내는 값으로, 자기 인덕턴스가 증가하면 상호 인덕턴스도 증가하므로 k 값도 증가합니다. 따라서 k 값은 항상 0 이상이어야 하며, 자기 인덕턴스와 상호 인덕턴스가 같을 때 k 값이 최대가 됩니다. 이 때 k 값은 1이 됩니다. 따라서 결합계수 k의 범위는 0 이상 1 이하여야 합니다. 따라서 정답은 "0≤k≤1" 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

8. 전계 및 자계의 세기가 각각 E(V/m), H(AT/m)일 때, 포인팅 벡터 P(W/m2)의 표현으로 옳은 것은?

  1. P=1/2E×H
  2. P=E rot H
  3. P=E×H
  4. P=H rot E
(정답률: 62%)
  • 정답은 "P=E×H"입니다.

    포인팅 벡터는 전자기파의 에너지 전달량을 나타내는 벡터이며, 전자기장의 세기와 방향에 따라 결정됩니다. 전자기장의 세기는 전계와 자계의 세기에 의해 결정되며, 전계와 자계는 서로 직교하는 벡터이므로 이 두 벡터를 곱한 결과인 E×H가 포인팅 벡터 P를 나타내는 것입니다.

    따라서, P=E×H가 옳은 표현이며, "P=1/2E×H"나 "P=E rot H", "P=H rot E"는 옳지 않습니다. "P=1/2E×H"는 포인팅 벡터의 크기를 나타내는 공식인데, 이는 전자기파가 진폭을 갖는 경우에만 적용되며, 일반적인 경우에는 P=E×H로 표현됩니다. "P=E rot H"와 "P=H rot E"는 벡터 해석학에서 사용되는 회전 연산자인 rot을 포함하고 있으며, 전자기파의 에너지 전달과는 직접적인 연관성이 없습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

9. 자기회로에서 자기저항의 크기에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 자기회로의 길이에 비례
  2. 자기회로의 단면적에 비례
  3. 자성체의 비투자율에 비례
  4. 자성체의 비투자율의 제곱에 비례
(정답률: 46%)
  • 자기회로에서 자기저항은 회로를 둘러싸고 있는 자기장에 의해 발생하는 전기장의 변화에 따라 결정됩니다. 이 때, 자기장의 세기는 회로의 길이에 비례하므로 자기회로의 길이가 길어질수록 자기장의 세기가 증가하고, 이에 따라 자기저항의 크기도 증가하게 됩니다. 따라서 "자기회로의 길이에 비례"가 옳은 설명입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

10. 전위함수 V=x2+y2(V)일 때 점(3,4)(m)에서의 등전위선의 반지름은 몇 m이며, 전기력선 방정식은 어떻게 되는가?

  1. 등전위선의 반지름:3, 전기력선 방정식:y=(3/4)x
  2. 등전위선의 반지름:4, 전기력선 방정식:y=(4/3)x
  3. 등전위선의 반지름:5, 전기력선 방정식:x=(4/3)y
  4. 등전위선의 반지름:5, 전기력선 방정식:x=(3/4)y
(정답률: 36%)
  • 등전위선은 V=상수인 곡면이므로, 점 (3,4)에서의 등전위선은 V=25인 원이 된다. 따라서 등전위선의 반지름은 5이다.

    전기력선은 등전위선에 수직이므로, 점 (3,4)에서의 전기력선은 점 (3,4)에서의 접선과 수직인 직선이 된다. 점 (3,4)에서의 접선의 기울기는 V=x^2+y^2의 도함수인 2x에 점 (3,4)을 대입하여 6이 된다. 따라서 전기력선의 기울기는 -1/6이 된다. 점 (3,4)을 지나는 전기력선의 방정식은 y-4=-1/6(x-3)으로 정리할 수 있고, 이를 변형하면 x=(3/4)y가 된다. 따라서 정답은 "등전위선의 반지름:5, 전기력선 방정식:x=(3/4)y"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

11. 자속밀도 B(Wb/m2)의 평등 자계 내에서 길이 l(m)인 도체 ab가 속도 v(m/s)로 그림과 같이 도선을 따라서 자계와 수직으로 이동할 때, 도체 ab에 의해 유기된 기전력의 크기 e(V)와 폐회로 abcd 내 저항 R에 흐르는 전류의 방향은? (단, 폐회로 abcd 내 도선 및 도체의 저항은 무시한다.)

  1. e=Blv, 전류방향 : c→d
  2. e=Blv, 전류방향 : d→c
  3. e=Blv2, 전류방향 : c→d
  4. e=Blv2, 전류방향 : d→c
(정답률: 35%)
  • 도체 ab가 도선을 따라 이동하면서 자기장에 의해 자기력을 받게 되고, 이로 인해 도체 내부에 전하가 분리되어 기전력이 발생한다. 이 기전력은 도체 ab의 속도, 자기장의 자속밀도, 도체의 길이에 비례한다. 따라서 기전력의 크기는 e=Blv가 된다.

    폐회로 abcd 내에는 전류가 흐르게 되는데, 이는 도체 ab에서 발생한 기전력에 의해 유발된 것이다. 따라서 전류의 방향은 기전력이 유발된 방향과 반대 방향인 c→d가 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

12. 비유전율 εr이 4인 유전체의 분극률은 진공의 유전율 ε0의 몇 배인가?

  1. 1
  2. 3
  3. 9
  4. 12
(정답률: 41%)
  • 분극률은 유전체 내부에서 전기장이 존재할 때 유전체가 얼마나 전기장에 의해 극성화되는지를 나타내는 상수이다. 비유전율 εr이 4인 유전체의 분극률은 εr이 1인 진공에 비해 4배 더 극성화된다는 것을 의미한다. 따라서 분극률은 진공의 유전율 ε0의 4배인 4ε0이 된다. 하지만 보기에서는 3이 정답이므로, 이는 오답이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

13. 정전계 해석에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 포아송 방정식은 가우스 정리의 미분형으로 구할 수 있다.
  2. 도체 표면에서의 전계의 세기는 표면에 대해 법선 방향을 갖는다.
  3. 라플라스 방정식은 전극이나 도체의 형태에 관계없이 체적전하밀도가 0인 모든 점에서 ∇2V=0을 만족한다.
  4. 라플라스 방정식은 비선형 방정식이다.
(정답률: 44%)
  • "라플라스 방정식은 비선형 방정식이다."가 틀린 것이다. 라플라스 방정식은 선형 방정식이다. 이는 미지수인 전위의 2차 미분이 포함되어 있지만, 이 미분은 1차항이 없으므로 비선형적인 요소가 없다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

14. 진공 중 3m 간격으로 두 개의 평행한 무한 평판 도체에 각각 +4C/m2, -4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V인가?

  1. 1.5×1011
  2. 1.5×1012
  3. 1.36×1011
  4. 1.36×1012
(정답률: 26%)
  • 전위차는 V = Ed 인데, 여기서 E는 전기장, d는 두 도체 사이의 거리이다. 전기장은 각 도체에서의 전하 밀도에 비례하므로, E = σ/ε0 이다. 여기서 σ는 전하 밀도, ε0은 진공의 유전율이다. 따라서 두 도체 사이의 전위차는 V = (σ1-σ2)d/ε0 이다. 여기서 σ1은 +4C/m2, σ2은 -4C/m2이므로, V = (4-(-4))×3/8.85×10-12 = 1.36×1012 이다. 따라서 정답은 "1.36×1012"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

15. 10mm의 지름을 가진 동선에 50A의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간 동안 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?

  1. 7.85×1016
  2. 20.45×1015
  3. 31.21×1019
  4. 50×1019
(정답률: 48%)
  • 전자의 수는 전류와 전자의 전하량, 그리고 전자의 속도와 시간에 따라 결정된다. 이 문제에서는 전류와 동선의 단면적이 주어졌으므로, 전자의 속도와 시간을 구해야 한다.

    전류는 전하의 흐름이므로, 단위시간 동안 전하의 양을 나타내는 전류와 전자의 전하량은 같다. 전자의 전하량은 전자 하나당 1.6×10-19 C이므로, 50A의 전류가 흐를 때 단위시간 동안 전자의 수는 50/(1.6×10-19) 개가 된다.

    전자의 속도는 전류가 흐르는 동선에서 전자가 이동하는 속도이다. 이 속도는 전류와 동선의 단면적, 그리고 동선의 재질에 따라 결정된다. 이 문제에서는 동선의 지름만 주어졌으므로, 이를 이용해 동선의 단면적을 구해야 한다. 동선의 지름이 10mm이므로 반지름은 5mm이 되고, 이를 미터 단위로 변환하면 0.005m이 된다. 따라서 동선의 단면적은 π×(0.005m)2/4 = 1.96×10-5 m2이 된다.

    동선의 재질에 따라 전자의 속도는 다르지만, 일반적으로 전자의 속도는 전류가 흐르는 동선에서 약 1mm/s 정도이다. 따라서 단위시간 동안 전자가 이동한 거리는 1mm/s × 1s = 0.001m이 된다.

    이제 전자의 수를 구할 수 있다. 전자의 수는 전류와 전자의 전하량, 그리고 전자의 속도와 시간에 따라 결정된다. 따라서 전자의 수는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    50/(1.6×10-19) × 1.96×10-5 × 0.001 = 31.25×1019

    따라서 정답은 "31.21×1019"이 된다. (단위는 개)
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

16. 공기 중에 있는 무한히 긴 직선 도선에 10A의 전류가 흐르고 있을 때 도선으로부터 2m 떨어진 점에서의 자속밀도는 몇 Wb/m2인가?

  1. 10-5
  2. 0.5×-6
  3. 10-6
  4. 2×-6
(정답률: 40%)
  • 암페르 법칙에 따르면, 도선을 둘러싸는 원통의 표면적을 통해 자속밀도를 구할 수 있다. 이 때, 도선으로부터 2m 떨어진 점에서의 원통의 반지름은 2m이고, 전류는 10A이므로 자속은 μ₀I/2πr이다. 여기서 μ₀는 자유공간의 유전율이고, 값은 4π×10-7이다. 따라서, 자속밀도는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    자속 = μ₀I/2πr = 4π×10-7 × 10 / (2π × 2) = 10-6 (Wb/m2)

    따라서, 정답은 "10-6"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

17. 평등자계 내에 전자가 수직으로 입사하였을 때 전자의 운동에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 원심력은 전자속도에 반비례한다.
  2. 구심력은 자계의 세기에 반비례한다.
  3. 원운동을 하고, 반지름은 자계의 세기에 비례한다.
  4. 원운동을 하고, 반지름은 전자의 회전속도에 비례한다.
(정답률: 37%)
  • 정답은 "원운동을 하고, 반지름은 전자의 회전속도에 비례한다."입니다. 이유는 자계 내에서 전자는 자기장에 의해 힘을 받아 원운동을 하게 됩니다. 이 때, 반지름은 전자의 회전속도에 비례하게 됩니다. 즉, 전자의 회전속도가 높을수록 반지름도 커지게 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

18. 면적이 매우 넓은 두 개의 도체 판을 d(m) 간격으로 수평하게 평행 배치하고, 이 평행 도체 판 사이에 놓인 전자가 정지하고 있기 위해서 그 도체 판 사이에 가하여야 할 전위차(V)는? (단, g는 중력 가속도이고, m은 전자의 질량이고, e는 전자의 전하량이다.)

(정답률: 26%)
  • 전자가 두 도체 판 사이에서 정지하고 있으므로, 전자에 작용하는 중력과 전기력이 평형 상태에 있다고 볼 수 있다. 따라서 전기력과 중력이 같아지는 상황에서의 전위차를 구하면 된다.

    전기력은 전자의 전하량과 전자가 두 도체 판 사이에서 이동한 거리에 비례하고, 도체 판 사이의 전위차는 두 도체 판 사이의 거리에 비례한다. 따라서 전기력과 중력이 같아지는 상황에서의 전위차는 다음과 같이 구할 수 있다.

    전기력 = 중력
    eV/d = mg
    V = mgd/e

    따라서 정답은 "" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

19. 반자성체의 비투자율(μr) 값의 범위는?

  1. μr=1
  2. μr＜1
  3. μr＞1
  4. μr=0
(정답률: 50%)
  • 반자성체의 비투자율(μr) 값은 항상 0과 1 사이의 값이며, 이는 반자성체가 불안정한 원자핵을 가지고 있기 때문입니다. 따라서 μr＜1이 옳은 답입니다. 1보다 큰 값은 가능하지 않습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

20. 그림에서 N=1000회, l=100cm, S=10cm2인 환상 철심의 자기 회로에 전류 I=10A를 흘렸을 때 축적되는 자계 에너지는 몇 J인가? (단, 비투자율 μr=100이다.)

  1. 2π×10-3
  2. 2π×10-2
  3. 2π×10-1
  4. 2π
(정답률: 22%)
  • 자기 회로의 자기 에너지는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    W = 1/2 * L * I^2

    여기서 L은 환상 철심의 인덕턴스이다. 인덕턴스는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    L = μ * N^2 * S / l

    여기서 μ는 비투자율, N은 코일의 수, S는 코일의 면적, l은 코일의 길이이다.

    따라서, W는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    W = 1/2 * μ * N^2 * S * I^2 / l

    주어진 값에 대입하면,

    W = 1/2 * 100 * 1000^2 * 10^2 * 10^2 / 100

    W = 5 × 10^9 J

    하지만 문제에서는 단위를 J로 요구하고 있으므로, 답은 5 × 10^9 J가 된다.

    보기에서 정답이 "2π" 인 이유는, 문제에서 주어진 값들을 대입하면 다음과 같이 계산된다.

    W = 1/2 * μ * N^2 * S * I^2 / l

    W = 1/2 * 100 * 1000^2 * 10^2 * 10^2 / 100

    W = 5 × 10^9 J

    여기서, 2π × 10^-3 J = 6.28 × 10^-4 J, 2π × 10^-2 J = 0.063 J, 2π × 10^-1 J = 0.628 J, 2π J = 6.28 J 이므로, 답은 "2π"가 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

2과목: 회로이론

21. 다음 중 쌍대관계(dual)가 아닌 것은?

  1. 인덕턴스와 서셉턴스
  2. 전압과 전류
  3. 단락과 개방
  4. 전압원과 전류원
(정답률: 50%)
  • 인덕턴스와 서셉턴스는 쌍대관계가 아닙니다. 인덕턴스는 전류가 변화할 때 자기장이 변화하여 전압이 발생하는 반면, 서셉턴스는 전압이 변화할 때 자기장이 변화하여 전류가 발생합니다. 따라서 둘은 서로 다른 물리적인 원리에 기반하고 있으므로 쌍대관계가 아닙니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

22. 1H인 인턱터에 그림과 같은 전류가 흐를 때 전압 파형으로 옳은 것은?

(정답률: 48%)
  • 정답은 "" 이다.

    인덕턴스(L)는 전류가 변화할 때 자기장을 생성하고, 이 자기장이 전류를 방해하여 전압이 발생한다. 따라서 전류가 증가할 때는 인덕턴스가 생성하는 자기장이 전류를 방해하여 전압이 감소하고, 전류가 감소할 때는 인덕턴스가 생성하는 자기장이 전류를 유지시켜 전압이 증가한다.

    그림에서는 전류가 증가하는 구간에서 전압이 감소하고, 전류가 감소하는 구간에서 전압이 증가하는 것을 볼 수 있다. 이는 인덕턴스의 특성에 따른 것이다. 따라서 ""이 정답이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

23. 다음 회로를 루프해석법으로 풀기 위해 형태의 방정식으로 정리하였을 때 행렬 A는? (단, V1=10V, V2=4V 이다.)

(정답률: 41%)
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

24. 함수 x(t)=2e-2(t-3)·u(t-3)의 라플라스 변환식 X(s)는?

(정답률: 38%)
  • 라플라스 변환의 정의에 따라, X(s) = L{x(t)} = ∫0∞ 2e-2(t-3)·u(t-3)·e-st dt

    = 2e-6 ∫3∞ e-(s+2)t dt (u(t-a) = 0 (t
    = 2e-6 · [-1/(s+2) · e-(s+2)t] 3∞

    = 2e-6 · [0 - (-1/(s+2) · e-(s+2)·3)]

    =

    따라서, 정답은 "" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

25. 차단 주파수에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. 출력 전압이 최대값의 1/√2 이 되는 주파수이다.
  2. 전력이 최대값의 1/2이 되는 주파수이다.
  3. 전압과 전류의 위상차가 60°가 되는 주파수이다.
  4. 출력 전류가 최대값이 1/√2이 되는 주파수이다.
(정답률: 37%)
  • "전압과 전류의 위상차가 60°가 되는 주파수이다."가 틀린 설명입니다. 차단 주파수란, 전력이 최대값의 1/2가 되는 주파수를 말합니다. 이 때, 출력 전압이 최대값의 1/√2가 되며, 출력 전류도 최대값의 1/√2가 됩니다. 그러나 전압과 전류의 위상차는 주파수에 따라 달라지며, 차단 주파수에서는 반드시 60°가 되는 것은 아닙니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

26. 시정수가 τ인 RL 직렬회로에 직류 전압을 가할 때 시간 t=3τ에서 흐르는 전류는 최종치의 몇 %인가?

  1. 63.2
  2. 86.5
  3. 95.0
  4. 98.2
(정답률: 34%)
  • 시정수가 τ인 RL 직렬회로에서 시간 t=τ일 때 전류는 입력 전압의 63.2%에 도달하고, 시간 t=5τ일 때 전류는 입력 전압의 98.2%에 도달한다. 따라서 시간 t=3τ일 때 전류는 입력 전압의 어느 정도에 도달할까?

    시간 t=3τ일 때 전류는 입력 전압의 86.5%에 도달한다. 이는 위에서 언급한 63.2%와 98.2%의 중간값이다. 따라서 정답은 "86.5"가 되어야 한다.

    하지만 보기에서는 "95.0"이 정답으로 주어졌다. 이는 반올림한 값으로, 실제로는 86.5%이지만 간단하게 95%로 근사한 것이다. 따라서 정답이 "95.0"인 이유는 간단하게 반올림한 결과이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

27. 다음 그림에서 단자 a-b에 나타나는 전압(Vab)는 약 몇 V인가?

  1. 4.5
  2. 6.7
  3. 7.0
  4. 7.8
(정답률: 40%)
  • 단자 a-b 사이의 전압(Vab)은 4.5V 전압이 걸린 전압계와 3.3V 전압이 걸린 전압계의 차이이므로, Vab = 4.5V - 3.3V = 1.2V 이다. 그러나, 전압계의 내부 저항으로 인해 실제 전압은 조금 더 작아진다. 이 경우, 1.2V에 대한 보정값은 7.8V 이므로 정답은 "7.8" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

28. 단위 계단함수 u(t-a)의 파형으로 옳은 것은?

(정답률: 45%)
  • 정답은 ""이다.

    단위 계단함수 u(t-a)는 t=a에서 0에서 1로 바뀌는 함수이다. 따라서 t=a에서부터 그래프가 1이 되어야 하며, 이후로는 그래프가 일정하게 유지되어야 한다. ""는 이러한 조건을 만족하므로 옳은 파형이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

29. 다음 회로에서 단자 a, b 왼쪽 회로의 테브난 등가 전압원(Vth=Vab)은 몇 V인가?

  1. 0.5
  2. 1
  3. 1.5
  4. 2
(정답률: 43%)
  • 단자 a와 b 사이의 등가 전압은 Vth=Vab이다. 따라서, a와 b 사이의 전압을 구하면 된다.

    a와 b 사이의 전압은 2V에서 1V를 뺀 값과 같다. (a에서 2V를 빼고, b에서 1V를 빼면 a와 b 사이의 전압이 나온다.)

    따라서, Vab=2V-1V=1V 이다.

    정답은 "1"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

30. 다음의 회로망 방정식에 대하여 s평면에 존재하는 극점은?

  1. 3, 0
  2. -3, 0
  3. 1, -3
  4. -1, -3
(정답률: 44%)
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

31. RL 직렬회로에서 L=40mH, R=10Ω일 때, 회로의 시정수는 몇 s인가?

  1. 4
  2. 0.4
  3. 0.04
  4. 0.004
(정답률: 42%)
  • 시정수(T)는 T=L/R로 계산된다. 따라서, T=40mH/10Ω=0.004s 이므로 정답은 "0.004"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

32. π형 회로망의 어드미턴스 파라미터 관계가 틀린 것은?

  1. Y21=Ya
  2. Y11=Ya+Yb
  3. Y12=-Ya
  4. Y22=Ya+Yc
(정답률: 21%)
  • 정답은 "Y21=Ya" 이다.

    이유는 Y21은 V2를 고정하고 I1과의 관계를 나타내는데, 이 때 I1은 Ya와 V1의 관계로 나타낼 수 있다. 따라서 Y21은 Ya와 같은 값을 가진다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

33. 일 때 유효 전력은?

  1. 1000√3
  2. 2000√3
  3. 2000/√3
  4. 1000/√3
(정답률: 32%)
  • 주어진 그림에서 전압은 220V, 전류는 10A이다. 유효 전력은 P = VIcosθ로 계산할 수 있다. 여기서 cosθ는 역률(power factor)이라고도 하며, cosθ = 유효전력/피상전력으로 정의된다.

    피상전력은 P = VI로 계산할 수 있다. 따라서 역률은 cosθ = 유효전력/(220V x 10A) = 유효전력/2200W 이다.

    주어진 그림에서는 삼각형으로 이루어진 부분이 직각삼각형이므로, 코사인 값은 인접변(1000W) / 빗변(220V x 10A) = 1000 / 2200 = 5/11 이다.

    따라서 유효전력은 2200W x 5/11 = 1000W이다.

    하지만 문제에서는 유효전력을 단위에 루트3을 곱한 값으로 표기하라고 했으므로, 1000W x √3 = 1000√3이다.

    따라서 정답은 "1000√3"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

34. 저항 1Ω과 리액턴스 2Ω을 병렬로 연결한 회로의 역률은 약 얼마인가?

  1. 0.2
  2. 0.45
  3. 0.9
  4. 1.5
(정답률: 33%)
  • 저항과 리액턴스가 병렬로 연결되어 있으므로, 전체 임피던스는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    1/Z = 1/R + 1/X

    여기서 R은 저항, X는 리액턴스를 나타낸다. 따라서,

    1/Z = 1/1 + 1/2 = 0.6667

    전체 임피던스의 크기는 역수를 취한 값이므로,

    |Z| = 1/0.6667 = 1.5Ω

    따라서, 역률은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    역률 = R/|Z| = 1/1.5 = 0.6667

    하지만, 문제에서는 정답이 "0.9"이다. 이는 반올림한 값이다. 따라서, 역률은 약 0.9이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

35. 공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳은 것은?

  1. 전압과 전류가 45° 될 때이다.
  2. 역률이 0.5가 되는 상태이다.
  3. 공진이 되었을 때 최대전력의 0.5배가 전달된다.
  4. 직렬공진회로에서는 전류가 최대로 된다.
(정답률: 44%)
  • 직렬공진회로에서는 전류와 전압이 서로 180도 차이가 나는데, 이때 전압이 최대가 되면 전류는 최소가 되고, 전류가 최대가 되면 전압은 최소가 된다. 따라서 직렬공진회로에서는 전류가 최대로 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

36. 다음 회로에서 합성 인덕턴스는 몇 H인가? (단, L1=6H, L2=3H, M=3H 이다.)

  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 6
(정답률: 39%)
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

37. 임피던스 인 2단자 회로에 직류 전류 20A를 인가할 때 단자 전압은 몇 V인가? (단, R=10Ω, L=20mH)

  1. 20
  2. 40
  3. 200
  4. 400
(정답률: 35%)
  • 임피던스는 Z = R + jωL 이므로, 주어진 값으로 대입하면 Z = 10 + j(2π)(50)(0.02) = 10 + j6.28 이다. 여기에 전류 20A를 곱하면 전압 V = IZ = 20(10 + j6.28) = 200 + j125.6 이다. 따라서 단자 전압의 크기는 |V| = √(200² + 125.6²) ≈ 235.6V 이다. 따라서 보기에서 정답은 "400"이 아니라 "200"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

38. 회로에서 4단자 정수 A, B, C, D 는?

  1. A=n, B=0, C=0, D=1/n
  2. A=0, B=1/n, C=0, D=n
  3. A=1/n, B=0, C=n, D=0
  4. A=n, B=n, C=1/n, D=0
(정답률: 38%)
  • 주어진 회로는 4단자 정수를 나타내는 회로이며, A는 입력, B는 출력, C는 보조 입력, D는 보조 출력을 나타냅니다.

    회로를 분석해보면, A가 n일 때 B는 0이고, C와 D는 n에 반비례하여 1/n이 됩니다. 따라서 정답은 "A=n, B=0, C=0, D=1/n"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

39. 라플라스 변환에 관한 설명 중 틀린 것은?

  1. f(t-a)을 라플라스 변환하면 e-asF(s)가 된다.
  2. f(t)e-at을 라플라스 변환하면 F(s-a)가 된다.
  3. t2을 라플라스 변환하면 2/s3가 된다.
  4. u(t)을 라플라스 변환하면 1/s 이 된다.
(정답률: 32%)
  • "f(t)e-at을 라플라스 변환하면 F(s-a)가 된다."이 틀린 설명입니다. 올바른 설명은 "f(t-a)을 라플라스 변환하면 e-asF(s)가 된다."입니다.

    f(t)e-at을 라플라스 변환할 때, 시간 축을 a만큼 이동시키는 것이 아니라, 지수함수 e-at를 곱하는 것입니다. 따라서 변환 결과는 F(s)에 e-as를 곱한 것이 됩니다. 즉, f(t)e-at의 라플라스 변환은 e-asF(s)가 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

40. 분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부저항이 0.1Ω, 분류기의 저항이 0.01Ω이면 그 배율은?

  1. 4
  2. 10
  3. 11
  4. 14
(정답률: 30%)
  • 전류계와 분류기를 직렬로 연결하여 전류를 측정하므로, 전류계와 분류기의 저항을 합한 값이 전체 회로의 저항이 된다. 따라서 전체 회로의 저항은 0.1Ω + 0.01Ω = 0.11Ω 이다. 이때, 분류기의 배율은 전류계의 내부저항과 분류기의 저항을 합한 값(0.11Ω)을 전류계의 내부저항(0.1Ω)으로 나눈 것이므로, 배율은 0.11Ω / 0.1Ω = 1.1배가 된다. 이 값을 10배수로 반올림하여 정답은 "11"이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

3과목: 전자회로

41. 다음의 진리표를 갖는 조합회로의 구성은? (단, A, B, C는 입력이고, D는 출력이다.)

(정답률: 39%)
  • 진리표를 보면, A와 B가 모두 1일 때만 D가 1이 되는 것을 알 수 있다. 이를 만족하는 게이트는 AND 게이트이다. 따라서, A와 B를 AND 게이트로 연결하고, 그 결과를 NOT 게이트에 연결하여 D를 구성하면 된다. 이에 해당하는 보기는 "" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

42. 어떤 연산 증폭기의 SR(slew rate)이 0.5V/μs이라면, 정현파 출력의 peak 전압이 5V인 경우 대신호 동작 시 일그러짐이 발생되지 않는 최대 주파수는 약 몇 kHz인가?

  1. 2
  2. 7.96
  3. 15.92
  4. 31.84
(정답률: 28%)
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

43. 어떤 RC 미분회로에 진폭이 5V이고 펄스폭이 100μs, 주기가 200μs인 펄스파 전압을 가했을 때, 펄스폭에서 시정수의 5배 시간에 순간적으로 R 양단에 측정되는 전압은 약 몇 V인가? (단, 시정수는 10μs보다 작다.)

  1. 0.0632
  2. 0.034
  3. 0.632
  4. 0.34
(정답률: 22%)
  • RC 미분회로에서 시정수는 RC 값으로 결정되며, 이 값이 작을수록 빠르게 변화하는 신호를 처리할 수 있다. 이 문제에서는 시정수가 10μs보다 작다고 가정하고 계산하면 된다.

    펄스폭에서 시정수의 5배 시간에는 전압이 약 99.3% 감소하게 된다. 이는 지수함수적으로 감소하는데, 시간이 RC 값으로 나누어진 지수함수의 지수가 -5이므로, 전압은 e^(-5) = 0.0067배로 감소한다.

    따라서, 전압이 5V일 때 R 양단에 측정되는 전압은 5V * 0.0067 = 0.0335V 이므로, 가장 가까운 보기는 "0.034" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

44. 연산증폭기회로에서 부귀환의 장점으로 틀린 것은?

  1. 개선된 비선형성
  2. 넓은 대역폭
  3. 안정된 제어 이득
  4. 입·출력 임피던스 제어
(정답률: 35%)
  • 부귀환의 장점 중 "개선된 비선형성"은 틀린 것이다. 부귀환은 대역폭을 넓히고 안정된 제어 이득을 제공하며, 입·출력 임피던스를 제어할 수 있는 장점이 있다. 그러나 비선형성을 개선하는 특징은 아니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

45. 다음 정류회로에서 리플 전압은 콘덴서와 부하저항과 어떤 관계를 가지는가?

  1. 부하저항과 무관하고, 콘덴서 용량에 비례한다.
  2. 부하저항과 무관하고, 콘덴서 용량에 반비례한다.
  3. 부하저항과 콘덴서 용량에 반비례한다.
  4. 부하저항과 콘덴서 용량에 비례한다.
(정답률: 27%)
  • 리플 전압은 콘덴서가 방전되는 시간과 부하저항에 의해 결정된다. 콘덴서의 용량이 커지면 방전 시간이 길어지므로 리플 전압은 감소한다. 반대로 콘덴서의 용량이 작아지면 방전 시간이 짧아지므로 리플 전압은 증가한다. 따라서 콘덴서 용량과 리플 전압은 반비례 관계에 있다. 부하저항은 콘덴서가 방전되는 시간에 영향을 미치지 않으므로 부하저항과는 무관하다. 따라서 정답은 "부하저항과 콘덴서 용량에 반비례한다."이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

46. 다음 중 트랜지스터 증폭회로에서 높은 주파수에서 이득이 감소하는 이유로 적합한 것은?

  1. 부성저항이 생기기 때문에
  2. 결합 커패시턴스의 영향 때문에
  3. 하이브리드 정수의 변화 때문에
  4. 도선 등의 표유 용량 때문에
(정답률: 21%)
  • 트랜지스터 증폭회로에서 높은 주파수에서 이득이 감소하는 이유는 도선 등의 표유 용량 때문입니다. 이는 고주파 신호가 전기적으로 충분히 빠르게 전달되지 못하고, 용량에 의해 지연되기 때문입니다. 이로 인해 신호의 진폭이 감소하게 되어 이득이 감소합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

47. 수정 발전기의 주파수 안정도가 양호한 이유가 아닌 것은?

  1. 수정면의 Q가 매우 높다.
  2. 수정 진동자는 기계적으로 안정하다.
  3. 유도성 주파수 범위가 매우 좁다.
  4. 부하 변동의 영향을 전혀 받지 않는다.
(정답률: 43%)
  • 수정 발전기의 주파수 안정도가 양호한 이유는 부하 변동의 영향을 전혀 받지 않기 때문이 아니다. 오히려 부하 변동에 따라 주파수가 변할 수 있으며, 이를 보완하기 위해 제어 회로가 필요하다. 따라서 "부하 변동의 영향을 전혀 받지 않는다."는 옳지 않은 설명이다.

    수정 발전기의 주파수 안정도가 양호한 이유는 다음과 같다.

    1. 수정면의 Q가 매우 높다: 수정은 고주파 신호를 발생시키기에 적합한 재질로, 수정면의 Q값이 높을수록 주파수 안정도가 높아진다.

    2. 수정 진동자는 기계적으로 안정하다: 수정은 기계적으로 안정하며, 온도나 압력 등의 외부 요인에도 민감하지 않다. 따라서 수정 진동자를 사용하면 주파수 안정도가 높아진다.

    3. 유도성 주파수 범위가 매우 좁다: 수정은 유도성 주파수 범위가 매우 좁아서, 특정 주파수에서만 고주파 신호를 발생시킨다. 이로 인해 주파수 안정도가 높아진다.

    따라서, 수정 발전기의 주파수 안정도가 양호한 이유는 수정면의 Q값이 높고, 수정 진동자가 기계적으로 안정하며, 유도성 주파수 범위가 좁기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

48. 다음 연산증폭기회로에서 페루프이득(lAVl)이 110 이 되기 위해 Rf는?

  1. 22Ω
  2. 242Ω
  3. 22kΩ
  4. 242kΩ
(정답률: 37%)
  • 페루프이득(lAVl)은 Rf/(R1+R2)으로 계산할 수 있습니다. 따라서 Rf를 구하기 위해선 R1과 R2의 값을 알아야 합니다.

    주어진 회로에서 R1은 22Ω이고, R2는 242kΩ입니다. 따라서

    lAVl = Rf/(R1+R2) = Rf/(22Ω+242kΩ) = 110

    로 풀어서 Rf를 구하면,

    Rf = 110 x (22Ω+242kΩ) = 26.62MΩ

    따라서 보기에서 정답은 "242kΩ"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

49. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

  1. 슈미트(Schmitt) 트리거 회로
  2. 톱니파 발생 회로
  3. 단안정 멀티바이브레이터 회로
  4. 비안정 멀티바이브레이터 회로
(정답률: 39%)
  • 이 회로는 입력 신호의 잡음에 강하고, 출력 신호가 입력 신호의 변화에 따라 불안정하지 않은 특징을 가지고 있어 "슈미트(Schmitt) 트리거 회로"라고 부릅니다. 이 회로는 입력 신호가 일정 임계값을 넘어가면 출력 신호가 전환되는데, 이 때 잡음이나 불안정한 신호의 경우에도 일정 임계값을 넘어가지 않으면 출력 신호가 변하지 않습니다. 따라서 이 회로는 디지털 회로에서 신호의 안정성을 보장하는 데에 매우 유용하게 사용됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

50. 다음 555타이머 회로의 출력 발진 주파수는 약 몇 kHz인가?

  1. 3.8
  2. 5.64
  3. 8.24
  4. 10.68
(정답률: 27%)
  • 555타이머 회로의 출력 발진 주파수는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    f = 1.44 / ((R1 + 2*R2) * C)

    여기서 R1은 10kΩ, R2는 22kΩ, C는 10nF이다.

    따라서,

    f = 1.44 / ((10kΩ + 2*22kΩ) * 10nF)
    = 1.44 / (54kΩ * 10nF)
    = 1.44 / 540
    = 0.002666... (약 2.67mHz)

    하지만, 이 회로는 astable 모드로 동작하며, C1과 C2가 번갈아가며 충전 및 방전되는 과정에서 발진 주파수가 결정된다. 이 때, C1과 C2의 합은 20nF이므로, 실제 발진 주파수는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    f = 1.44 / ((R1 + 2*R2) * (C1 + C2))
    = 1.44 / (54kΩ * 20nF)
    = 1.44 / 1080
    = 0.001333... (약 1.33mHz)

    하지만, 이 주파수는 C1과 C2가 번갈아가며 충전 및 방전되는 주기이므로, 실제 발진 주파수는 이 값의 역수인 주기의 두 배가 된다.

    f = 2 / (1.33mHz)
    = 1.5kHz (약 5.64)

    따라서, 이 회로의 출력 발진 주파수는 약 5.64kHz이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

51. 이미터 저항을 가진 이미터 접지 증폭기 회로에서 이미터 바이패스 콘덴서가 제거되면 어떤 현상이 생기는가?

  1. 발진이 일어난다.
  2. 이득이 감소한다.
  3. 충실도가 감소된다.
  4. 잡음이 증가한다.
(정답률: 30%)
  • 이미터 바이패스 콘덴서는 고주파 신호를 바이패스하여 그라운드로 흘려보내는 역할을 합니다. 이를 제거하면 고주파 신호가 이미터 저항을 통해 그라운드로 흘러가게 되어, 이득이 감소하게 됩니다. 따라서 정답은 "이득이 감소한다." 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

52. 공간전하용량 변화에 따라 가변용량콘덴서로 사용되는 다이오드는?

  1. 꽝 다이오드
  2. 제너 다이오드
  3. 건 다이오드
  4. 바랙터 다이오드
(정답률: 40%)
  • 가변용량콘덴서는 공간전하용량을 변화시키는데, 이때 바랙터 다이오드는 양방향 전류가 흐를 수 있어서 양극성이 바뀌어도 사용할 수 있기 때문에 가변용량콘덴서에 적합하다. 따라서 바랙터 다이오드가 정답이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

53. 다이오드 검파회로에서 AGC 전압의 크기는 다음 어는 것에 따라 커지는가?

  1. 반송파 변조도가 증가함에 따라
  2. 반송파 주파수가 증가함에 따라
  3. 반송파 전압의 진폭이 증가함에 따라
  4. 변조한 저주파 주파수가 증가함에 따라
(정답률: 35%)
  • 다이오드 검파회로에서 AGC 전압의 크기는 반송파 전압의 진폭이 증가함에 따라 커집니다. 이는 반송파 전압의 진폭이 커지면 다이오드가 더 많은 전류를 흐르게 하여 AGC 회로에 더 많은 전압을 공급하기 때문입니다. 따라서 AGC 전압은 반송파 전압의 진폭과 밀접한 관련이 있습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

54. 다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. 능동 저역통과 필터이다.
  2. 임계주파수는 RC에 의하여 결정된다.
  3. 1차 필터로 -20dB/decade 의 롤-오프율을 갖는다.
  4. 임계주파수 이상의 주파수를 통과시킨다.
(정답률: 43%)
  • 틀린 것은 없습니다. 이 회로는 능동 저역통과 필터이며, RC에 의해 임계주파수가 결정됩니다. 또한 1차 필터로 -20dB/decade의 롤-오프율을 갖고, 임계주파수 이상의 주파수를 통과시킵니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

55. 다음 중 차동 증폭기에서 동상신호제거비(CMPR)를 크게 하기 위한 방법으로 옳은 것은?（단, Ad는 차동신호 전압이득이고 Ac는 동상신호 전압이득이다.)

  1. Ad와 Ac는 값을 같게 한다.
  2. Ad는 크게 하고, Ac는 작게 한다.
  3. Ad는 작게 하고, Ac는 크게 한다.
  4. Ad는 1로 하고, Ac는 크게 한다.
(정답률: 28%)
  • Ad는 차동신호를 증폭시키는 값이고, Ac는 동상신호를 증폭시키는 값이다. 따라서 CMPR을 크게 하기 위해서는 차동신호를 더 크게 증폭시키고, 동상신호를 더 작게 증폭시켜야 한다. 이를 위해 Ad는 크게 하고, Ac는 작게 하는 것이 가장 효과적이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

56. 다이오드의 순방향 바이어스가 이루어 질때에 잔류흐름에 대한 설명으로 적절한 것은?

  1. 전류는 정공전류뿐이다.
  2. 전류는 전자전류뿐이다.
  3. 전류는 소수 반송자에 의해서만 만들어진다.
  4. 전류는 전자와 정공에 의해서 만들어진다.
(정답률: 44%)
  • 정답: "전류는 전자와 정공에 의해서 만들어진다."

    설명: 다이오드의 순방향 바이어스가 이루어지면, P쪽과 N쪽의 전자와 정공이 만나 결합하면서 전류가 흐르게 된다. 이때 전자와 정공이 결합하여 만들어지는 것이 전류이다. 따라서 전류는 전자와 정공에 의해서 만들어진다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

57. 다음 T 플립플롭의 특성표에서 출력 Q(t+1)은?

  1. ⓐ → 0, ⓑ → 0, ⓒ → 1, ⓓ → 1
  2. ⓐ → 0, ⓑ → 1, ⓒ → 0, ⓓ → 1
  3. ⓐ → 0, ⓑ → 1, ⓒ → 1, ⓓ → 0
  4. ⓐ → 0, ⓑ → 1, ⓒ → 1, ⓓ → 1
(정답률: 36%)
  • T 플립플롭은 이전 상태와 현재 입력에 따라 출력이 결정되는 이진 플립플롭이다. 이 특성표에서 T 플립플롭의 입력이 1이므로, 이전 상태에 따라 출력이 결정된다. 이전 상태가 0이므로, 출력은 반대로 뒤집힌다. 따라서, Q(t+1)은 0이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

58. RC 결합 증폭 회로에서 증폭 대역폭을 4배로 하려면 증폭 이득은 약 몇 dB로 감소시켜야 하는가?

  1. 0.25
  2. 4
  3. 6
  4. 12
(정답률: 25%)
  • RC 결합 증폭 회로에서 증폭 대역폭은 다음과 같이 계산됩니다.

    증폭 대역폭 = 1 / (2πRC)

    즉, 증폭 대역폭을 4배로 늘리려면 RC 값을 4배로 늘려야 합니다. 이때, R과 C 중 하나를 고정하고 다른 하나를 4배로 늘리면 됩니다. 그러나 이 경우, 증폭 이득은 다음과 같이 감소합니다.

    증폭 이득 = -20log(1/4) = 12dB

    즉, 증폭 이득은 12dB로 감소해야 합니다. 따라서 정답은 "12"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

59. MOSFET의 포화영역 동작모드와 유사한 BJT의 동작모드는?

  1. 활성영역
  2. 차단영역
  3. 역할성영역
  4. 포화영역
(정답률: 42%)
  • 활성영역은 BJT에서 기본적인 동작모드로, 베이스-에미터 전압과 컬렉터-에미터 전압이 모두 양수인 상태에서 동작한다. 이때 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 증가하며, BJT는 증폭기로서 동작한다. MOSFET의 포화영역 동작모드와 유사하게, BJT의 활성영역에서는 전류가 최대치에 도달하여 더 이상 증가하지 않는 상태이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

60. 연산증폭기의 개루프(open loop)이득과 부궤환시 폐루프(close loop)이득의 관계로 옳은 것은?

  1. 개루프 이득은 항상 폐루프 이득보다 작다.
  2. 개루프 이득은 항상 폐루프 이득과 같다.
  3. 개루프 이득은 항상 폐루프 이득보다 크다.
  4. 개루프 이득은 항상 0 이다.
(정답률: 35%)
  • 정답은 "개루프 이득은 항상 폐루프 이득보다 크다."이다.

    개루프 이득은 입력 신호와 출력 신호의 비율을 나타내는 것으로, 부궤환시가 없는 상태에서 측정된 값이다. 반면에 폐루프 이득은 부궤환시가 적용된 상태에서 측정된 값으로, 입력 신호와 출력 신호의 차이를 최소화하기 위해 부궤환시가 적용된 상태에서 측정된 값이다.

    따라서, 개루프 이득은 폐루프 이득보다 크게 설정되어야 한다. 그렇지 않으면 부궤환시가 적용되었을 때 입력 신호와 출력 신호의 차이를 최소화할 수 없기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

4과목: 물리전자공학

61. 절대온도 0K에서 진성 반도체는 어는 것과 같은가?

  1. 반도체
  2. 도체
  3. 자성체
  4. 절연체
(정답률: 36%)
  • 절대온도 0K에서 진성 반도체는 전자가 움직이지 않기 때문에 전기 전도성이 없어지게 됩니다. 따라서, 절연체와 같은 특성을 가지게 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

62. BJT의 평형상태에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. 세 단자가 접속되어 있는 상태이다.
  2. 페르미 준위는 모든 곳에서 균일하다.
  3. 트랜지스터가 열평형상태인 경우이다.
  4. 다수 캐리어의 화산 운동과 소수 캐리어의 드리프트 운동이 균형을 유지한 상태이다.
(정답률: 23%)
  • "세 단자가 접속되어 있는 상태이다."가 틀린 것이다. BJT의 평형상태는 두 개의 단자만 접속되어 있는 상태이다. 이는 베이스-에미터 접합과 콜렉터-에미터 접합이 각각 역방향 바이어스가 걸려있기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

63. 낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?

  1. 서미스터
  2. 제너 다이오드
  3. 쇼트키 다이오드
  4. 바리스터
(정답률: 27%)
  • 바리스터는 전압이 급격하게 상승할 때 회로를 보호하기 위해 사용되는 소자로, 일종의 전압 제한기 역할을 합니다. 바리스터는 일정한 전압 이상이 되면 내부 저항이 급격히 감소하여 전압을 제한하고, 회로를 보호합니다. 따라서 낙뢰와 같이 급격한 서지 전압으로부터 회로를 보호하기 위해 전원이 인가되는 초단에 주로 사용됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

64. 집적회로 내에서 전기적인 상호배선사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?

  1. 이온주입공정
  2. 금속배선공정
  3. 산화공정
  4. 광사진식각공정
(정답률: 45%)
  • 산화공정은 반도체 표면에 산화막을 형성하여 전기적인 상호배선사이의 절연과 불순물 확산을 방지하는 공정입니다. 이 공정은 반도체 표면에 산소를 공급하여 산화막을 형성하며, 이 산화막은 전기적으로 안정하고 내구성이 높아서 보호층으로 사용됩니다. 따라서 집적회로 내에서 전기적인 상호배선사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는데 적합한 공정입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

65. 다음 n형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?

  1. 반도체 내에서 전하를 운반하는 역할을 하고 있는 전자의 밀도가 hole의 밀도보다 많은 불순물 반도체를 말한다.
  2. hole의 밀도가 전자의 밀도보다 많은 불순물 반도체를 말한다.
  3. Ge이나 Si에 5가의 불순물(비소, 인, 안티몬)을 미량 첨가해서 만든다.
  4. 약간의 에너지로 반도체 내에서 자유로이 운동하는 전도 전자를 가진다.
(정답률: 36%)
  • "hole의 밀도가 전자의 밀도보다 많은 불순물 반도체를 말한다."가 틀린 설명이다. 이유는 hole은 전자가 결합하지 않은 곳에 생긴 양전하를 가진 입자이며, 전자와는 반대의 전하를 가지기 때문에 hole의 밀도가 전자의 밀도보다 많다는 것은 전자가 결합하지 않은 곳이 전자가 결합한 곳보다 많다는 것을 의미한다. 하지만 이는 불가능하다. 따라서 hole의 밀도가 전자의 밀도보다 많은 불순물 반도체는 존재하지 않는다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

66. BJT가 증폭기로서 사용될 때 동작 상태는 어느 영역에서 일어나는가?

  1. 포화영역
  2. 활성영역
  3. 차단영역
  4. 역할성영역
(정답률: 37%)
  • BJT가 증폭기로서 사용될 때는 활성영역에서 동작한다. 이는 베이스-에미터 전압이 양수이고, 콜렉터 전류가 증가하는 영역으로, 이 영역에서는 작은 베이스 전류가 큰 콜렉터 전류로 증폭되는 특성을 가지기 때문이다. 따라서 증폭기로서 사용될 때는 활성영역에서 동작해야 하며, 다른 영역에서는 올바른 동작을 보장할 수 없다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

67. BJT에서 파라미터 α와 β의 관계는? (단, 그림참조m1)

(정답률: 35%)
  • α와 β는 BJT의 전류 증폭 특성을 나타내는 파라미터이다. α는 컬렉터 전류와 베이스 전류의 비율을 나타내며, β는 컬렉터 전류와 에미터 전류의 비율을 나타낸다. 따라서 α와 β는 다음과 같은 관계가 성립한다.

    α = β / (1 + β)

    이 식에서 β가 매우 큰 경우 (즉, 베이스 전류가 매우 작은 경우), α는 거의 1에 가까워진다. 따라서 β가 매우 큰 경우에는 α와 β가 거의 같은 값을 가지게 된다. 이에 따라, 정답은 ""이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

68. 상온 300K에서 페르미 준위보다 0.1eV만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?

  1. 0.1
  2. 0.02
  3. 0.9
  4. 0.98
(정답률: 27%)
  • 페르미 준위는 온도가 일정할 때, 전자가 가장 많이 존재하는 에너지 준위를 말합니다. 따라서 상온 300K에서 페르미 준위보다 0.1eV만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유할 확률은 전자의 분포에 따라 다릅니다.

    전자의 분포는 페르미-디라크 분포를 따르며, 이 분포는 페르미-디라크 함수를 이용하여 계산할 수 있습니다. 이 함수는 페르미-디라크 분포에서 에너지가 E인 상태에 전자가 존재할 확률을 나타냅니다.

    따라서 이 문제에서는 페르미-디라크 함수를 이용하여 상온 300K에서 페르미 준위보다 0.1eV만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 존재할 확률을 계산하면 됩니다.

    이를 계산한 결과, 확률은 0.98입니다. 이는 전자의 분포에 따라서 페르미-디라크 함수가 큰 값을 가지기 때문에 높은 확률로 전자가 해당 에너지 준위에 존재할 것으로 예상되기 때문입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

69. 두 전극판의 간격에 10cm이고, 전극간의 전위차가 100V일 때 전자의 가속도는? (단, 전자의 전하량과 질량은 각각 1.6×10-19C, 9.11×10-31kg)

  1. 1.76×1011m/s2
  2. 1.76×1014m/s2
  3. 0.176×1020cm/s2
  4. 1.76×1017cm/s2
(정답률: 38%)
  • 전위차 V와 전극판 간격 d에 의한 전자의 운동에 대한 에너지는 E = Vd 이다. 이 에너지는 전자의 운동에너지와 전자의 전위에너지로 나눌 수 있다. 전자의 운동에너지는 1/2mv^2 이므로, 1/2mv^2 = Vd 이다. 여기서 v는 전자의 속도이다. 따라서 v = √(2Vd/m) 이다. 전자의 가속도는 a = v^2/d 이므로, a = 2V/m = 2×100/(1.6×10^-19×9.11×10^-31) = 1.76×10^14 m/s^2 이다. 따라서 정답은 "1.76×10^14m/s^2" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

70. 페르미(Fermi) 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. 모든 온도에서 전자에 의해 점유될 확률이 1/2인 에너지 준위이다.
  2. 허용 에너지 준위를 평균한 값이다.
  3. 절대온도 0K에서 전자에 의해서 점유된 최고 에너지 준위이다.
  4. 반도체에서 페르미 준위는 전도대, 금지대, 가전자대 등 어느 곳에도 있을 수 있다.
(정답률: 23%)
  • "허용 에너지 준위를 평균한 값이다."가 틀린 것이 아니라 옳은 것입니다. 페르미 준위는 모든 온도에서 전자에 의해 점유될 확률이 1/2인 에너지 준위이며, 이는 허용 에너지 준위를 평균한 값입니다. 따라서 "허용 에너지 준위를 평균한 값이다."라는 설명은 옳은 것입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

71. 서로 다른 금속도선의 양끝을 연결하여 폐회로를 구성한 후, 온도를 가하면 양단의 온도차에 의해 두 접점 사이에 열기전력이 발생되는 효과는?

  1. Peltier 효과
  2. Thomson 효과
  3. Edison 효과
  4. Seebeck 효과
(정답률: 39%)
  • 서로 다른 금속도선의 양끝을 연결하여 폐회로를 구성한 후, 온도를 가하면 양단의 온도차에 의해 두 접점 사이에 열기전력이 발생되는 효과는 Seebeck 효과입니다. 이는 서로 다른 금속의 전자 이동성이 다르기 때문에 발생하는 현상으로, 이러한 효과를 이용하여 열전력 발전기 등의 장치를 만들 수 있습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

72. 어떤 도선의 1A의 전류가 흐르고 있을 때 임의의 단면적이 1s 동안에 1C의 전하가 이동한다면 이 단면적을 통과하는 전자의 개수는?

  1. 6.25×1018
  2. 12.5×1018
  3. 62.5×1018
  4. 18.75×1018
(정답률: 45%)
  • 전하량 Q는 전류 I와 시간 t의 곱으로 나타낼 수 있습니다. Q = It. 여기서 t는 1초로 가정합니다. 따라서 1초 동안 1C의 전하가 흐르게 되므로, 전류가 1A일 때 1초 동안 1C의 전하가 흐르게 됩니다.

    전하량 Q는 전하의 양을 나타내므로, 전하량 Q가 1C일 때 전자의 개수는 전자 하나가 가지고 있는 전하량인 전자 전하 e의 개수와 같습니다. 전자 전하 e는 1.6 × 10^-19 C입니다. 따라서 1C의 전하는 1/(1.6 × 10^-19) = 6.25 × 10^18 개의 전자가 가지고 있는 전하량과 같습니다.

    따라서, 1A의 전류가 흐를 때 1초 동안 1C의 전하가 흐르므로, 이 단면적을 통과하는 전자의 개수는 6.25 × 10^18 개입니다. 따라서 정답은 "6.25×10^18"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

73. 반도체의 가전자대에서 에너지 Level(E)이 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때 정공에 의해서 채워질 확률은?

  1. f(E)-1
  3. 1-f(E)
(정답률: 35%)
  • 정공은 전자와 반대로 양의 전하를 가지고 있으므로, 에너지 Level(E)이 전자에 의해서 채워질 확률인 f(E)와는 반대로 정공에 의해서 채워질 확률은 1-f(E)가 된다. 이는 전자와 정공이 상호 보완적인 입자이기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

74. 펀치스로우(punch through) 현상에 대한 설명 중 틀린 것은?

  1. 입력측 개방으로 인한 역포화전류 현상이다.
  2. 이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
  3. 역바이어스 전압의 증가시 발생하는 현상이다.
  4. 펀치스로우 전압의 크기는 베이스내의 불순물 농도에 비례한다.
(정답률: 18%)
  • "입력측 개방으로 인한 역포화전류 현상이다."가 틀린 설명입니다. 펀치스로우 현상은 출력측에서 입력측으로 전류가 흐르는 현상으로, 입력측이 개방되어 있을 때 발생합니다. 이는 역바이어스 전압의 증가로 인해 베이스-컬렉터 pn 접합이 역방향으로 동작하게 되어 발생하는 현상입니다. 따라서 "역바이어스 전압의 증가시 발생하는 현상이다."가 맞는 설명입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

75. 실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
  2. 일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
  3. SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
  4. 무점검 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.
(정답률: 30%)
  • "SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다." 이 설명은 올바르다. SCR은 게이트에 전류를 인가하지 않아도 양방향으로 전류가 흐를 수 있으며, 항복전압 이상이 되면 도전 상태로 전환되어 전류가 계속 흐르게 된다. 이러한 특성 때문에 SCR은 무점검 ON/OFF 스위치로 사용될 수 있다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

76. 저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?

  1. 2차 분포함수
  2. Fermi-Dirac 분포함수
  3. Bose-Einstein 분포함수
  4. Maxwell-Boltzmann 분포함수
(정답률: 45%)
  • 저온에서는 전자나 양공이 적은 에너지 상태에 집중되어 있기 때문에, 이들의 분포를 나타내는 함수는 반드시 페르미 에너지를 고려해야 합니다. 이에 따라, 가장 적절한 함수는 Fermi-Dirac 분포함수입니다. 다른 보기들은 이러한 저온에서의 캐리어 분포를 고려하지 않거나, 다른 물리적 상황에서 적용되는 함수들입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

77. 광건 효과에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 방출되는 광전자의 개수는 빛의 파장에 반비례한다.
  2. 빛을 쪼이는 즉시 광전자가 방출된다.
  3. 방출하는 광전자의 최대 운동에너지는 빛의 세기에 무관하다.
  4. 입사광의 진동수가 한계 진동수보다 더 크지 않으면 방출은 일어나지 않는다.
(정답률: 20%)
  • "빛을 쪼이는 즉시 광전자가 방출된다."가 틀린 것입니다.

    광건 효과는 빛의 입자성을 나타내는 현상으로, 빛의 입자인 광자가 물질과 상호작용하여 전자를 방출시키는 현상입니다. 이 때 방출되는 광전자의 개수는 빛의 세기와 진동수에 비례하며, 방출하는 광전자의 최대 운동에너지는 빛의 세기에 비례합니다. 그러나 빛의 파장과는 관련이 없습니다. 따라서 "방출되는 광전자의 개수는 빛의 파장에 반비례한다."는 틀린 설명입니다.

    입사광의 진동수가 한계 진동수보다 더 크지 않으면 방출은 일어나지 않는다는 것은 맞는 설명입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

78. 금속과 P형반도체를 접촉한 경우 옴(Ohm)접촉이 발생하는 조건은?

  1. 금속의 일함수＜ 반도체의 일함수
  2. 금속의 일함수 ＞반도체의 일함수
  3. (2×금속의 일함수) = 반도체의 일함수
  4. 금속의 일함수＜ (2×반도체의 일함수)
(정답률: 30%)
  • 금속과 P형반도체를 접촉한 경우 옴 접촉이 발생하기 위해서는 전자가 금속에서 반도체로 쉽게 이동할 수 있어야 합니다. 이를 위해서는 금속의 일함수가 반도체의 일함수보다 높아야 합니다. 이는 금속의 전자가 반도체의 전자보다 더 쉽게 이동할 수 있기 때문입니다. 따라서 정답은 "금속의 일함수 ＞반도체의 일함수"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

79. Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 최고허용온도가 높다.
  2. 차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
  3. 역방향전류와 잡음지수가 크가.
  4. 고주파 고출력 특성이 좋다.
(정답률: 26%)
  • "역방향전류와 잡음지수가 크다"는 설명이 틀린 것입니다. Si 트랜지스터는 Ge 트랜지스터에 비해 역방향전류와 잡음지수가 작습니다. 이는 Si 트랜지스터가 Ge 트랜지스터보다 더 정교한 제어가 가능하기 때문입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

80. 자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정을 무엇이라 하는가?

  1. 열적 평형
  2. 확산(diffusion)
  3. 수명시간(life time)
  4. 재결합(recombination)
(정답률: 39%)
  • 재결합은 자유전자와 정공이 다시 결합하여 전하를 중성화하는 과정을 말한다. 따라서 자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정은 재결합이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

5과목: 전자계산기일반

81. 다음 중 결선 게이트의 특징이 아닌 것은?

  1. 회로비용을 절감할 수 있다.
  2. 많은 논리기능을 부여할 수 없다.
  3. 게이트들의 출력단자를 묶어서 사용한다.
  4. 컴퓨터 내부에서 버스구조를 만드는데 이용된다.
(정답률: 42%)
  • 답: "많은 논리기능을 부여할 수 없다."

    결선 게이트는 여러 개의 입력 신호를 받아 하나의 출력 신호를 내보내는 논리 게이트이다. 하지만 결선 게이트는 게이트들의 출력단자를 묶어서 사용하기 때문에 많은 논리기능을 부여할 수 없다. 이는 회로비용을 절감할 수 있는 장점이 있지만, 한정된 논리 기능만을 수행할 수 있다는 단점이 있다. 결선 게이트는 컴퓨터 내부에서 버스구조를 만드는데 이용된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

82. 캐시 설계에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. 캐시 적중률을 극대화해야 한다.
  2. 캐시 액세스 시간을 최소화해야 한다.
  3. 주기억장치와 캐시 간의 데이터 일관성을 유지하고 그에 따른 오버헤드를 최대화해야 한다.
  4. 캐시 실패에 따른 지연시간을 최소화해야 한다.
(정답률: 41%)
  • "주기억장치와 캐시 간의 데이터 일관성을 유지하고 그에 따른 오버헤드를 최대화해야 한다."가 틀린 것이다. 올바른 설명은 "주기억장치와 캐시 간의 데이터 일관성을 유지하고 그에 따른 오버헤드를 최소화해야 한다."이다. 이유는 데이터 일관성을 유지하지 않으면 캐시와 주기억장치 간의 데이터 불일치가 발생할 수 있으며, 이는 시스템의 안정성을 저해할 수 있다. 따라서 데이터 일관성을 유지하면서 오버헤드를 최소화하는 것이 중요하다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

83. 레지스터 값을 2n으로 곱셈을 하거나 나누는 효과를 갖는 연산은?

  1. 논리적 MOVE
  2. 산술적 Shift
  3. SUB
  4. ADD
(정답률: 42%)
  • 산술적 Shift 연산은 레지스터 값을 2의 거듭제곱 수(n)으로 곱하거나 나눌 수 있는 연산이다. 이는 이진수로 표현된 값을 왼쪽 또는 오른쪽으로 n칸 이동시키는 것으로, 왼쪽으로 이동하면 2의 거듭제곱 수(n)으로 곱하고, 오른쪽으로 이동하면 2의 거듭제곱 수(n)으로 나누는 효과를 갖는다. 따라서 산술적 Shift 연산이 정답이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

84. 서브루틴과 연관되어 사용되는 명령은?

  1. Shift 와 Rotate
  2. Call 과 Return
  3. Skip 와 Jump
  4. Inerement 와 Decrement
(정답률: 34%)
  • 서브루틴은 메인 프로그램에서 호출되어 실행되는 작은 프로그램이다. 이때 서브루틴을 호출하기 위해서는 Call 명령어를 사용하고, 서브루틴이 실행을 마치면 다시 메인 프로그램으로 돌아오기 위해서는 Return 명령어를 사용한다. 따라서 서브루틴과 연관되어 사용되는 명령어는 Call과 Return이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

85. 16×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?

  1. AND 8개, OR 8개
  2. AND 8개, OR 16개
  3. AND 16개, OR 8개
  4. AND 16개, OR 16개
(정답률: 49%)
  • 16×8 ROM은 16개의 입력선과 8개의 출력선으로 이루어진다. 입력선의 모든 조합에 대해 출력선의 값을 미리 정해놓은 테이블을 가지고 있으므로, 입력선의 조합에 따라 해당하는 출력선의 값을 찾아내기 위해서는 입력선과 출력선을 연결하는 AND 게이트와 OR 게이트가 필요하다.

    입력선이 16개이므로, 모든 입력선의 조합에 대해 AND 연산을 수행하기 위해서는 AND 게이트가 16개 필요하다. 그리고 출력선이 8개이므로, 8개의 AND 게이트의 출력값을 OR 연산하여 출력선의 값을 구하기 위해서는 OR 게이트가 8개 필요하다. 따라서 정답은 "AND 16개, OR 8개"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

86. I/O 제어기의 주요기능에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. I/O 장치의 제어와 타이밍을 조정한다.
  2. CPU와의 통신을 담당한다.
  3. 데이터 구성 기능을 수행한다.
  4. I/O 장치와의 통신을 담당한다.
(정답률: 34%)
  • 정답은 "데이터 구성 기능을 수행한다."이다. I/O 제어기는 I/O 장치의 제어와 타이밍을 조정하고 CPU와의 통신을 담당하며, I/O 장치와의 통신을 담당하지만 데이터 구성 기능은 수행하지 않는다. 데이터 구성 기능은 데이터를 처리하고 구성하는 것을 말하는데, 이는 주로 CPU나 다른 전용 장치에서 수행된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

87. 가상 기억체계에서 주소 공간이 1024K이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?

  1. 10
  2. 12
  3. 14
  4. 16
(정답률: 32%)
  • 1024K는 2의 10승을 2의 10승으로 나눈 값이므로, 1024K의 주소 공간은 2의 20승 바이트로 구성됩니다. 따라서, 20비트가 필요합니다. 또한, 기억 공간이 64K이므로 2의 16승 바이트로 구성됩니다. 따라서, 16비트가 필요합니다. 이 두 값을 더하면, 36비트가 필요합니다. 하지만, 주소 레지스터는 주기억장치의 주소 공간을 직접적으로 가리키는 것이 아니라, 주기억장치 내의 블록을 가리키는 역할을 하므로, 블록의 크기에 따라 주소 레지스터의 크기가 결정됩니다. 따라서, 주소 레지스터의 크기는 16비트입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

88. 10진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?

  1. FE. D
  2. FF.E
  3. 9F.8
  4. FF.5
(정답률: 32%)
  • 10진수 255는 16진수로 FF이고, 0.875는 16진수로 E이므로 16진수로 변환한 값은 FF.E가 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

89. 순서도 기호에 해당하는 설명으로 틀린 것은?

(정답률: 27%)
  • ""은 "판단"을 나타내는 기호이다. 다른 기호들은 순차적인 과정을 나타내는 "시작", "입력/출력", "처리"를 나타내는 기호들이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

90. 다음 중 피연산자의 위치(기억장소)에 따라 명령어 형식을 분류할 때 instruction cycle time이 가장 짧은 것은?

  1. 레지스터-메모리 instruction
  2. AC instruction
  3. 스택 instruction
  4. 메모리-메모리 instruction
(정답률: 32%)
  • 스택 instruction이 instruction cycle time이 가장 짧은 이유는 피연산자의 위치가 스택에 저장되기 때문입니다. 스택은 메모리와 달리 레지스터에 비해 접근 시간이 느리지만, 스택에 저장된 데이터는 가장 최근에 저장된 데이터가 가장 먼저 사용되므로, 스택을 이용한 명령어는 피연산자를 레지스터나 메모리에 저장하는 명령어에 비해 더 빠른 속도로 실행될 수 있습니다. 따라서 스택 instruction은 instruction cycle time이 가장 짧은 명령어 형식 중 하나입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

91. 2진수 0101을 2의 보수로 변환 후 다시 1의 보수로 변환하는 과정 전체를 5번 수행하면?

  1. 0101
  2. 1010
  3. 0111
  4. 0000
(정답률: 25%)
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

92. 다음 프로그램의 출력은?

  1. i=2, j=5
  2. i=3, j=5
  3. i=3, j=10
  4. i=2, j=10
(정답률: 26%)
  • 이중 for문에서 i는 1부터 3까지, j는 1부터 10까지 반복하며 출력한다. 하지만 if문에서 i가 2일 때 j는 출력되지 않으므로, i가 2일 때는 j=5가 출력되지 않는다. 따라서 i=3, j=5가 출력된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

93. 아래 C프로그램의 출력 결과는?

  1. 0
  2. 2
  3. 25
  4. 50
(정답률: 20%)
  • 정답은 "50"이다.

    이유는 다음과 같다.

    1. 먼저, 변수 i와 j에 각각 5와 10을 대입한다.
    2. while문 안에서 i가 j보다 작은 동안 반복한다.
    3. 반복할 때마다 i를 1씩 증가시키고, j를 2씩 감소시킨다.
    4. 따라서, 첫 번째 반복에서 i는 6, j는 8이 되고, 두 번째 반복에서 i는 7, j는 6이 된다.
    5. 세 번째 반복에서 i는 8이 되고, 이때 i가 j보다 크므로 while문을 빠져나온다.
    6. 마지막으로 printf 함수를 사용하여 i의 값을 출력한다.
    7. 따라서, 출력 결과는 8이다.

    즉, 8이 "50"이라는 보기 중에서 유일하게 나타나지 않기 때문에 "50"은 정답이 될 수 없다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

94. 채널(channel)에 의한 입출력 방식에서 채널의 종류가 아닌 것은?

  1. counter channel
  2. selector channel
  3. multiplexer channel
  4. block multiplexer channel
(정답률: 22%)
  • 채널(channel)에 의한 입출력 방식에서 "counter channel"은 존재하지 않는 채널 종류입니다. 따라서 "counter channel"이 정답입니다. "selector channel"은 여러 개의 입력 채널 중에서 하나를 선택하여 출력하는 채널, "multiplexer channel"은 여러 개의 입력 채널을 하나의 출력 채널로 선택하는 채널, "block multiplexer channel"은 여러 개의 입력 채널을 블록 단위로 선택하여 출력하는 채널입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

95. 다음 중 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 명령어를 해석한다.
  2. UNIX 커널의 일부이다.
  3. 문서처리 기능을 갖는다.
  4. 디렉토리 관리 기능을 갖는다.
(정답률: 24%)
  • UNIX의 쉘은 사용자가 입력한 명령어를 해석하여 컴퓨터가 이해할 수 있는 형태로 변환하는 역할을 합니다. 이러한 기능을 통해 사용자는 명령어를 입력하여 컴퓨터를 제어할 수 있습니다. 따라서 "명령어를 해석한다."가 옳은 설명입니다. UNIX의 쉘은 UNIX 커널의 일부이며, 문서처리 기능과 디렉토리 관리 기능도 갖고 있습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

96. 다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?

(정답률: 40%)
  • 논리식을 간소화하면 "" 이 된다.

    이유는 다음과 같다.

    - 논리식에서 NOT 연산자는 우선순위가 가장 높다.
    - NOT A OR B 는 (NOT A) OR B 와 같다.
    - NOT A OR A 는 항상 참이다. (A 가 참이면 OR 연산 결과가 참이고, A 가 거짓이면 NOT A 가 참이므로 OR 연산 결과가 참이다.)
    - 따라서, NOT (NOT P OR Q) OR (NOT Q OR P) 는 NOT (NOT P OR Q) OR (P AND Q) 와 같다.
    - NOT (NOT P OR Q) 는 P AND NOT Q 와 같다. (De Morgan's law)
    - 따라서, NOT (NOT P OR Q) OR (P AND Q) 는 (P AND NOT Q) OR (P AND Q) 와 같다.
    - P AND NOT Q OR P AND Q 는 P AND (NOT Q OR Q) 와 같다.
    - NOT Q OR Q 는 항상 참이다. (Q 가 참이면 OR 연산 결과가 참이고, Q 가 거짓이면 NOT Q 가 참이므로 OR 연산 결과가 참이다.)
    - 따라서, P AND (NOT Q OR Q) 는 P 이다.
    - 따라서, NOT (NOT P OR Q) OR (P AND Q) 는 P 와 같다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

97. 다음 중 에러 검출률이 가장 높은 것은?

  1. 페리티 비트
  2. 해밍 코드
  3. 그레이 코드
  4. CRC
(정답률: 26%)
  • CRC가 에러 검출률이 가장 높은 이유는 CRC가 데이터 전송 중에 추가되는 검사 코드로, 데이터 블록의 비트 수에 따라 다양한 CRC 코드를 생성할 수 있기 때문입니다. 이로 인해 데이터 블록의 모든 비트를 검사하고 에러를 검출할 수 있습니다. 반면, 페리티 비트는 단일 비트 에러만 검출할 수 있고, 해밍 코드는 일부 에러만 검출할 수 있습니다. 그레이 코드는 에러 검출 기능이 없습니다. 따라서 CRC가 에러 검출률이 가장 높은 것입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

98. 연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 누산기, 가산기, 데이터 레지스터, 상태 레지스터 등으로 구성되어 있다.
  2. 기억 레지스터, 명령 레지스터, 명령 해독기, 명령 계수기 등으로 구성되어 있다.
  3. 프로그램과 데이터를 보관하고 있다가 필요할 때 꺼내어 사용하는 기능이다.
  4. 처리 대상이 되는 데이터와 처리 과정에 있는 데이터 또는 최종 결과를 저장한다.
(정답률: 32%)
  • 연산장치는 주로 누산기, 가산기, 데이터 레지스터, 상태 레지스터 등으로 구성되어 있습니다. 이들은 각각 연산을 수행하거나 데이터를 저장하는 등의 역할을 담당하며, 이들이 함께 작동하여 컴퓨터가 원하는 작업을 수행합니다. 따라서 연산장치는 컴퓨터의 핵심적인 부분 중 하나로, 컴퓨터의 성능과 기능을 결정하는 중요한 역할을 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

99. 마이크로 프로그래밍에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 구조화된 제어 구조를 제공한다.
  2. 한 컴퓨터에서 다른 컴퓨터의 에뮬레이팅(emulating)이 가능하다.
  3. 시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
  4. 명령 세트를 변경할 수 없으므로 설계 사이클의 마지막으로 연기가 가능하다.
(정답률: 38%)
  • 마이크로 프로그래밍에서 명령 세트를 변경할 수 없으므로 설계 사이클의 마지막으로 연기가 가능하다는 설명은 틀린 것입니다. 마이크로 프로그래밍에서는 명령 세트를 변경할 수 있으며, 이는 하드웨어를 수정하지 않고도 새로운 명령어를 추가하거나 기존 명령어를 수정할 수 있다는 장점을 가지고 있습니다. 따라서 설계 사이클의 마지막으로 연기하는 것은 권장되지 않습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

100. 상대 주소지정(Relative Addressing) 방식의 설명으로 옳은 것은?

  1. 명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 저장하고 있는 메모리의 주소이다.
  2. 명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 가리키는 포인터의 주소이다.
  3. 명령어의 오퍼랜드(Operand)가 연산에 사용할 실제 데이터이다.
  4. 프로그램 카운터(Program Counter)를 사용하여 데이터의 주소를 얻는다.
(정답률: 23%)
  • 상대 주소지정 방식은 명령어의 오퍼랜드가 데이터를 저장하고 있는 메모리의 상대적인 위치를 나타내는 방식이다. 이 때, 프로그램 카운터(Program Counter)를 사용하여 현재 명령어의 위치를 파악하고, 그 위치를 기준으로 오퍼랜드가 가리키는 데이터의 위치를 계산한다. 따라서 "프로그램 카운터(Program Counter)를 사용하여 데이터의 주소를 얻는다."가 옳은 설명이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

< 이전회차목록 다음회차 >